2024 年 7 月 4 日，該成果以《基于光伏納米單元的高性能(néng)大規模集成有(yǒu)機光電(diàn)晶體(tǐ)管》為(wèi)題發表于《自然・納米技(jì )術》。
芯片集成度可(kě)以分(fēn)為(wèi)小(xiǎo)規模集成度 (SSI)、中(zhōng)規模集成度 (MSI)、大規模集成度 (LSI)、超大規模集成度 (VLSI) 和特大規模集成度 (ULSI)，此前，有(yǒu)機芯片的制造方法主要包括絲網印刷、噴墨打印、真空蒸鍍、光刻加工(gōng)等，集成度通常隻能(néng)達到大規模集成度 (LSI) 水平。
光刻膠又(yòu)稱為(wèi)光緻抗蝕劑，在芯片制造中(zhōng)扮演着關鍵角色，經過曝光、顯影等過程能(néng)夠将所需要的微細圖形從掩模闆轉移到待加工(gōng)基片上，是一種光刻工(gōng)藝的基礎材料。
複旦團隊設計了一種由光引發劑、交聯單體(tǐ)、導電(diàn)高分(fēn)子組成的新(xīn)型功能(néng)光刻膠。光交聯後形成了納米尺度的互穿網絡結構，兼具(jù)良好的半導體(tǐ)性能(néng)、光刻加工(gōng)性能(néng)和工(gōng)藝穩定性。該光刻膠不僅能(néng)實現亞微米量級特征尺寸圖案的可(kě)靠制造，而且該圖案本身就是一種半導體(tǐ)，從而簡化了芯片制造工(gōng)藝。
光刻制造的有(yǒu)機晶體(tǐ)管互連陣列包含4500×6000個像素，集成密度達到3.1×106單元每平方厘米，即在全畫幅尺寸芯片上集成了2700萬個器件，達到特大規模集成度 (ULSI)，其光響應度達到6.8×106安(ān)培每瓦特，高密度陣列可(kě)以轉移到柔性襯底上，實現了仿生視網膜應用(yòng)。
